CLASIFICACION DE TRANSISTORES..

Clasificaremos a continuación a los transistores según construcción y forma de
funcionamiento:
Transistor de unión bipolar (BJT)
Transistor de efecto de campo (FET)
Transistor de inducción estática (SIT)
Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)
Transistores de unión bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para
amplificar señales analógicas, tratamiento de señales digitales y como conmutador de
potencia eléctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados.
Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET
de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
Los transistores JFET pueden ser de canal “n” o de canal “p”; estos, se utilizan para
amplificar señales de baja frecuencia y potencia (señales de audiofrecuencias).
Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de "empobrecimiento
o deplexion", MOSFET de “acumulación o enriquecimiento” y MESFET.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal “n” o canal “p”;
estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta
frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido.
Los MOSFET de enriquecimiento o acumulación, se utilizan ampliamente en los
sistemas digitales de alta densidad de integración como las compuertas lógicas,
memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. También se
disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia eléctrica
(ejemplo el VMOS).
Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material
semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal “n” y se los utiliza por su
rapidez de conmutación en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y
sistemas lógicos de alta velocidad.
Transistores de inducción estática (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta
frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construcción vertical y su
compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF,
UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta caída de tensión en
sus terminales.
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) Se los utiliza fundamentalmente
en circuitos de conmutación de potencia eléctrica por ejemplo en circuitos inversores de
corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan
las ventajas de los transistores BJT y MOSFET.

CLASIFICACION DE TRANSISTORES..

Clasificaremos a continuación a los transistores según construcción y forma de
funcionamiento:
Transistor de unión bipolar (BJT)
Transistor de efecto de campo (FET)
Transistor de inducción estática (SIT)
Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT)
Transistores de unión bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para
amplificar señales analógicas, tratamiento de señales digitales y como conmutador de
potencia eléctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados.
Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET
de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET).
Los transistores JFET pueden ser de canal “n” o de canal “p”; estos, se utilizan para
amplificar señales de baja frecuencia y potencia (señales de audiofrecuencias).
Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de "empobrecimiento
o deplexion", MOSFET de “acumulación o enriquecimiento” y MESFET.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal “n” o canal “p”;
estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta
frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido.
Los MOSFET de enriquecimiento o acumulación, se utilizan ampliamente en los
sistemas digitales de alta densidad de integración como las compuertas lógicas,
memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. También se
disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia eléctrica
(ejemplo el VMOS).
Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material
semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal “n” y se los utiliza por su
rapidez de conmutación en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y
sistemas lógicos de alta velocidad.
Transistores de inducción estática (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta
frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construcción vertical y su
compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF,
UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta caída de tensión en
sus terminales.
Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) Se los utiliza fundamentalmente
en circuitos de conmutación de potencia eléctrica por ejemplo en circuitos inversores de
corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan
las ventajas de los transistores BJT y MOSFET.

QUE ES UN TRANSISTOR..?

Se denominan “transistores” a los dispositivos semiconductores que utiliza la
electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificación de señales eléctricas
analógicas, generación de niveles de tensión para materializar las “funciones lógicas”
que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de
potencia eléctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc.
En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La característica V—I
es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a través
de una sola ecuación matemática o grafica Funcionalmente se distinguen tres pares
diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de
tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos
como “Terminal de entrada” o “conexión al circuito de entrada” y “Terminal de salida”
o conexión al circuito de salida